顿思公司的主要产品包括射频功率LDMOS器件、定制化功率MOS器件及其配套的50欧系统解决方案。顿思重点关注射频应用领域产品凯发体育下载现金赌场★■■■★◆,应用频率覆盖DC~4GHz,输出功率等级覆盖0■■◆.1W~500W■◆,供电电压3.7V~380V;拥有塑料封装、金属封装等适应各类应用需求的标准封装和定制化封装外形◆★★★;有单管、合封模组等各种应用方案。团队成员有十年以上相关行业设计◆★、应用经验◆■■◆■,可以为客户提供各类解决方案■◆◆◆◆。顿思致力成为RF功率器件专业研发者★■■◆◆★,专业品质,您的信赖源泉★★★◆,期待与您的合作。
顿思公司的射频功率晶体管,主要应用于射频移动通信基站★■★、射频广播、移动无线电■★★◆★★、射频能源以及工业、科研★★、医疗等众多具有战略重要性的行业领域。公司在器件设计★◆★、芯片制造★★■、芯片封装■◆、芯片测试等一整条产品供应链上达成百分之百的国产化,使得产品具备技术可控■★、成本更低◆◆★★、周期更短和供货更稳定的优势。
北京顿思集成电路设计有限责任公司从事射频功率器件的设计◆◆、研发■■★★★、晶圆加工(含MPW)、封装■★、测试和销售。以顿思的前沿技术和人才优势,采用先进的集成电路◆★、功率器件设计软硬件,依托国际先进的BCD工艺线,成功设计了多个系列高可靠性RF-MOSFET功率器件。